特許

J-GLOBAL ID：200903034744271441

半導体装置用Cu系合金配線及びその形成に用いるスパッタリングターゲット

発明者： 大西 隆 ,  水野 雅夫 ,  武田 実佳子
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (2件)： 植木 久一 ,  小谷 悦司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-432455
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191363
出願日： 2003年12月26日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：

【課題】 低い電気抵抗率を維持しながら、高温酸化耐性に優れたCu系合金配線を提供すると共に、こうした優れた性能を有するCu系合金配線を形成するための素材として有用なスパッタリングターゲットを提供すること。【解決手段】 半導体装置に使用される配線であって、Geを0.2〜1.0at%含有するCu合金からなる半導体装置用Cu系合金配線と、当該配線の製造に用いるCu系合金からなるスパッタリングターゲットを開示する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体装置に使用される配線であって、Geを含むCu合金からなることを特徴とする半導体装置用Cu系合金配線。

IPC (4件)：

H01L21/285 ,  C23C14/34 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

FI (4件)：

H01L21/285 S ,  C23C14/34 A ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/88 M

Fターム (12件)：

4K029BA08 ,  4K029BD02 ,  4K029DC04 ,  4M104BB04 ,  4M104BB39 ,  4M104DD40 ,  4M104HH20 ,  5F033HH12 ,  5F033LL02 ,  5F033PP15 ,  5F033WW04 ,  5F033XX20

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 配線膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-073934   出願人：株式会社神戸製鋼所
• スパッタリングターゲット及び薄膜形成装置部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-198565   出願人：株式会社ジャパンエナジー
• 特開平3-152806号公報
  
• 特開平3-196619号公報
  

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-079052   出願人：大見忠弘, キヤノン株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-365425   出願人：株式会社リコー