特許

J-GLOBAL ID：200903034754943529

半導体装置の作製方法

発明者： 磯部 敦生 ,  荒尾 達也
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-363486
公開番号（公開出願番号）：特開2003-163221
出願日： 2001年11月28日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：

【要約】【課題】 結晶の位置と大きさを制御することにより、チャネル領域或いはTFT形成領域を一つの結晶の集合(ドメイン)で形成し、TFTのばらつきを抑えることを目的とする。【解決手段】 非晶質シリコン膜に対して、チャネル形成領域或いはチャネル形成領域やソース及びドレイン領域等も含むTFT形成領域の周囲を選択的にレーザー照射を行い、各TFT形成領域を孤立させて、結晶化を助長する金属元素(代表的にはNi)を添加し、加熱処理を行うことにより、結晶の集合(ドメイン)の位置を任意に定める事を可能とするものである。結晶の集合(ドメイン)の位置を任意に制御することにより、TFTのばらつきを抑えることが可能となる。

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、絶縁表面を有する基板上に非晶質構造を有する半導体薄膜を形成し、前記非晶質構造を有する半導体膜に選択的にレーザー光を照射して結晶化領域と非晶質領域とを形成し、前記結晶化領域と非晶質領域との両方に金属元素を添加して、前記結晶化領域と非晶質領域とを加熱して、前記非晶質領域を前記金属元素を用いて結晶化し、当該結晶化領域に前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域を配設する各段階を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (6件)：

H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/322 ,  H01L 29/786 ,  H01S 3/00

FI (6件)：

G02F 1/1368 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/322 P ,  H01S 3/00 A ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 Z

Fターム (88件)：

2H092JA28 ,  2H092KA05 ,  2H092MA30 ,  2H092NA24 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052AA17 ,  5F052BA07 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA15 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052FA19 ,  5F052JA01 ,  5F072AA06 ,  5F072AB01 ,  5F072AB20 ,  5F072YY08 ,  5F110AA17 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD25 ,  5F110EE05 ,  5F110EE08 ,  5F110EE28 ,  5F110FF02 ,  5F110FF32 ,  5F110FF35 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG25 ,  5F110GG26 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL08 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN42 ,  5F110NN44 ,  5F110NN46 ,  5F110NN48 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110PP40 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開平2-140916
  
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-029551   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-044573   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-058317   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-094607   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平2-140916