特許
J-GLOBAL ID：200903034759743552
種結晶の固定方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 内藤 浩樹
, 永野 大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-124229
公開番号（公開出願番号）：特開2008-280196
出願日： 2007年05月09日
公開日（公表日）： 2008年11月20日
要約：
【課題】チタンを用いた種結晶の固定方法において、カーボン面を成長面とした場合でも、成長結晶中に伸長するマクロ欠陥の発生を確実に抑制できる種結晶の固定方法を提供する。【解決手段】黒鉛台座1に設けられた種結晶支持部2上にチタン3を配置するチタン配置工程と、所定の表面処理をした炭化珪素から成る種結晶4の(0001)シリコン面を前記チタン3上に配置する種結晶配置工程と、前記種結晶4上に加圧部材5を配置した積層体6を形成する積層体形成工程と、前記積層体6を覆うように容器体を配置する積層体格納工程と、前記黒鉛台座1の下部温度をチタンの融点以上、且つ前記種結晶上に炭化珪素結晶を成長させる温度以下の範囲で加熱する加熱工程とから成る種結晶の固定方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
黒鉛台座に設けられた種結晶支持部上にチタンを配置するチタン配置工程と、
所定の表面処理をした炭化珪素から成る種結晶の(0001)シリコン面を前記チタン上に配置する種結晶配置工程と、
前記種結晶上に加圧部材を配置した積層体を形成する積層体形成工程と、
前記積層体を覆うように容器体を配置する積層体格納工程と、
前記黒鉛台座の下部温度をチタンの融点以上、且つ前記種結晶上に炭化珪素結晶を成長させる温度以下の範囲で加熱する加熱工程と
から成る種結晶の固定方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077DA02
, 4G077DA18
, 4G077ED01
, 4G077ED02
, 4G077EG11
, 4G077SA01
, 4G077SA04
, 4G077SA12
