単結晶の製造方法及び種結晶

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：伊藤求馬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-103581
公開番号（公開出願番号）：特開平9-268096
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：

【要約】【課題】種結晶中での再結晶化を抑制し、得られる単結晶の歩留りを向上させるとともに、マイクロパイプ等の欠陥の少ない高品質な単結晶を製造する。【解決手段】種結晶上に単結晶となる原料ガスを供給して、該種結晶上に単結晶を成長させるにあたり、種結晶の、単結晶が成長する面以外の表面を、炭素層等、単結晶成長条件において安定な物質よりなる保護層で被覆する。保護層により、局所的な温度勾配を緩和するとともに種結晶中の物質移動を抑制し、再結晶化を防止して、成長結晶の品質を向上させる。

請求項（抜粋）：

種結晶上に単結晶となる原料ガスを供給して、該種結晶上に単結晶を成長させる単結晶の製造方法において、上記種結晶の、単結晶が成長する面以外の表面を、単結晶成長条件において安定な物質よりなる保護層で被覆し、結晶成長中の物質移動による再結晶化を抑制することを特徴とする単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 23/00 , C30B 29/36

FI (2件)：

C30B 23/00 , C30B 29/36 A

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭61-222992
SiC単結晶の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-208173 出願人：三洋電機株式会社
バルク単結晶の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-050521 出願人：住友電気工業株式会社

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