特許
J-GLOBAL ID：200903034825808326

アルミニウム系III族窒化物結晶の製造方法および結晶積層基板

発明者：
纐纈 明伯

纐纈 明伯 について

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熊谷 義直

熊谷 義直 について

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永島 徹

永島 徹 について

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高田 和哉

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出願人/特許権者：
株式会社トクヤマ

株式会社トクヤマ について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-225152
公開番号（公開出願番号）：特開2007-042854
出願日： 2005年08月03日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：
【課題】酸素等不純物の低減されたIII族ハロゲン化物ガスを供給することにより、酸素不純物濃度の低減されたAl系III族窒化物結晶を製造する方法を提供する。【解決手段】三塩化アルミニウム等のAl系III族ハロゲン化物ガスとアンモニアガス等とを反応域に保持された基板上で反応させることにより、基板上に気相成長させて窒化アルミニウム等のAl系III族窒化物結晶を製造する方法において、該Al系III族ハロゲン化物ガスを金属アルミニウム15と接触させた後に成長反応器16に流出せしめて反応させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ハロゲン化アルミニウムを含むアルミニウム系III族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとを反応域に保持された基板上で反応させることにより、基板上に気相成長させてアルミニウム系III族窒化物結晶を製造する方法において、該アルミニウム系III族ハロゲン化物ガスを金属アルミニウムと接触させた後に反応域に流出せしめることを特徴とするアルミニウム系III族窒化物結晶の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  C30B 25/14 ,  C23C 16/34
FI (4件)：
H01L21/205 ,  C30B29/38 C ,  C30B25/14 ,  C23C16/34
Fターム (42件)：
4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077DB05 ,  4G077DB06 ,  4G077DB11 ,  4G077DB21 ,  4G077EA06 ,  4G077ED06 ,  4G077EE02 ,  4G077EG21 ,  4G077HA02 ,  4G077TH13 ,  4K030AA02 ,  4K030AA03 ,  4K030AA17 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB01 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030KA03 ,  4K030KA24 ,  4K030LA14 ,  4K030LA18 ,  5F045AA03 ,  5F045AB09 ,  5F045AC02 ,  5F045AC12 ,  5F045AD12 ,  5F045AF09 ,  5F045BB14 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045EE01 ,  5F045EE11
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (8件)
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