特許
J-GLOBAL ID：200903019526311335

アルミニウム系III族窒化物結晶の製造方法並びに製造装置

発明者：
纐纈 明伯

纐纈 明伯 について

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熊谷 義直

熊谷 義直 について

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永島 徹

永島 徹 について

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高田 和哉

高田 和哉 について


出願人/特許権者：
株式会社トクヤマ

株式会社トクヤマ について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-111934
公開番号（公開出願番号）：特開2006-290662
出願日： 2005年04月08日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：
【課題】 ハイドライド気相エピタキシャル成長法において欠陥の少ない良好なアルミニウム系III族窒化物結晶を製造するためには、表面吸着種の表面拡散を促すために高温が必要である。しかし、装置構造によっては高温の発現が困難であった。また、HVPEに特有の腐食性雰囲気下では反応部材の耐食性が、結晶への不純物混入の観点から問題となる。 【解決手段】 ハロゲン化アルミニウムを含むIII族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとを反応域の加熱支持台上に保持された基板を加熱しながら当該基板上で反応させることにより、基板上に気相成長させてアルミニウム系III族窒化物を製造する方法において、該加熱支持台が窒化アルミニウムからなり且つ発熱抵抗体を内蔵した加熱支持台を用いる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
ハロゲン化アルミニウムを含むIII族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとを反応域の加熱支持台上に保持された基板を加熱しながら当該基板上で反応させることにより、基板上に気相成長させてアルミニウム系III族窒化物結晶を製造する方法において、該加熱支持台が窒化アルミニウムからなり且つ発熱抵抗体を内蔵した加熱支持台であることを特徴とするアルミニウム系III族窒化物結晶の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 25/12 ,  C23C 16/34 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
C30B25/12 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 C ,  H01L21/205
Fターム (30件)：
4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077DB05 ,  4G077EG04 ,  4G077EG16 ,  4G077HA02 ,  4G077TF01 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030BA02 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030KA23 ,  4K030KA46 ,  4K030LA12 ,  5F045AA03 ,  5F045AB09 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AD15 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ10 ,  5F045EM02 ,  5F045EM09
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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