特許
J-GLOBAL ID：200903034843835373

薄膜磁性体記憶装置

発明者：
大石 司

大石 司 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-378820
公開番号（公開出願番号）：特開2003-178573
出願日： 2001年12月12日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：
【要約】【課題】 高精度のデータ読出を実行する薄膜磁性体記憶装置を提供する。【解決手段】 データ読出時において、データ線DIOは、データ読出電流供給回路105からデータ読出電流Isの供給を受けて、選択メモリセルと電気的に結合される。スイッチ回路101は、ノードN1〜N3のうちの1つずつを順番にデータ線DIOと接続する。電圧保持キャパシタ111〜113によって保持されたノードN1〜N3の電圧間の比較に応じて、選択メモリセルの記憶データを示す読出データRDが生成される。スイッチ回路110によって、ノードN1へは、選択メモリセルの記憶データに応じたデータ線電圧が伝達され、ノードN2へは、選択メモリセルが“1”データを記憶したときのデータ線電圧が伝達され、ノードN3へは、選択メモリセルが“0”データを記憶したときのデータ線電圧が伝達される。
請求項（抜粋）：
各々が、磁化方向に応じた電気抵抗を有する複数のメモリセルを備え、各前記メモリセルは、第1および第2のレベルのいずれかを有する記憶データを書込まれて、前記記憶データに応じた方向に磁化され、データ読出動作時に、前記複数のメモリセルのうちのデータ読出対象に選択された選択メモリセルと電気的に結合される期間を有するデータ線と、前記選択メモリセルの電気抵抗に応じた電圧を前記データ線へ生じさせるための読出電流供給回路と、前記選択メモリセルが前記データ読出動作前と同様の磁化方向を有する第1の状態における、前記選択メモリセルと電気的に結合されたデータ線の電圧と、前記選択メモリセルに対して所定の磁界が作用した後の第2の状態における、前記選択メモリセルと電気的に結合されたデータ線の電圧とに応じて、前記選択メモリセルの記憶データに応じた読出データを生成するデータ読出回路とを備える、薄膜磁性体記憶装置。
IPC (4件)：
G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08
FI (4件)：
G11C 11/14 Z ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447
Fターム (3件)：
5F083FZ10 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05
引用特許：
審査官引用 (5件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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