特許
J-GLOBAL ID：200903034844378006

光半導体装置

発明者：
瀬田 崇

瀬田 崇 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 小笠原 史朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-082263
公開番号（公開出願番号）：特開2006-269531
出願日： 2005年03月22日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：
【課題】 透明導電膜の透明性の低下および脆化による電気抵抗率が高くなることを抑え光の取り出し効率を向上すると共に、光半導体装置の低背化を実現すること。【解決手段】 光半導体素子3の上面に向かって高い屈折率を有した透明導電膜6を、光半導体素子3上および光半導体素子3近傍から外側に導出するリードフレーム2bにかけて被覆させることにより、光半導体素子3の半導体層と透明導電膜層間での屈折率に大きな差が生じなくなる。これにより、半導体層界面で全反射する光の量が減少することから、光半導体素子3からの光の取り出し効率が向上すると共に、ワイヤレス化により光半導体装置の低背化を実現する事ができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
リードフレームに形成された基体と、前記基体に形成された光放射口と、前記光放射口の中央部の底部に露出された少なくとも一対のリードフレームと、前記露出された少なくとも一対のリードフレームの第一のリードフレーム表面に発光面を上面に導電性接着剤を介して搭載された光半導体素子と、前記露出された少なくとも一対のリードフレームの第二のリードフレームと前記光半導体素子とを接続する透明導電膜とからなり、前記第一のリードフレームと前記透明導電膜との間に絶縁領域を備えたことを特徴とする、光半導体装置。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 N
Fターム (11件)：
5F041AA03 ,  5F041AA44 ,  5F041AA47 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA88 ,  5F041DA19 ,  5F041DA34 ,  5F041DA39 ,  5F041DA44 ,  5F041DA45
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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