特許
J-GLOBAL ID：200903034057112872

半導体発光素子およびその製造方法

発明者：
竹内 良一

竹内 良一 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (3件)： 福田 賢三 ,  福田 伸一 ,  福田 武通
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-032580
公開番号（公開出願番号）：特開2004-265923
出願日： 2003年02月10日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：
【課題】電極と半導体層との良好なオーミック接触を実現し、かつ発光部での発光を遮ることなく取り出すことで、発光効率を改善できるようにする。【解決手段】この発明の半導体発光素子10は、裏面に第1の電極5が形成された半導体基板1と、半導体基板1上に形成され、AlInGaPからなる発光部2aを含むとともに上層に電流拡散層2bを有する半導体層3と、電流拡散層2bの表面の一部に分配して形成され、その電流拡散層2bとオーミック接触をなす分配電極7と、電流拡散層2bの表面と分配電極7とを覆って形成され、その分配電極7と導通する透明導電膜4と、透明導電膜4の表面の一部に形成され、その透明導電膜4と導通する台座電極6と、を有することを特徴としている。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
裏面に第1の電極が形成された半導体基板と、 前記半導体基板上に形成され、AlInGaPからなる発光部を含むとともに上層に電流拡散層を有する半導体層と、 前記電流拡散層の表面の一部に分配して形成され、その電流拡散層とオーミック接触をなす分配電極と、 前記電流拡散層の表面と前記分配電極とを覆って形成され、その分配電極と導通する透明導電膜と、 前記透明導電膜の表面の一部に形成され、その透明導電膜と導通する台座電極と、 を有することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (2件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 B
Fターム (15件)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA37 ,  5F041CA65 ,  5F041CA84 ,  5F041CA88 ,  5F041CA91 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36
引用特許：
審査官引用 (6件)
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