特許
J-GLOBAL ID：200903095066826461
半導体発光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
青山 葆
, 河宮 治
, 山崎 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-013535
公開番号（公開出願番号）：特開2004-228297
出願日： 2003年01月22日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：
【課題】GaN系半導体のごときIII族窒化物半導体およびZnO系半導体のごときII族酸化物半導体を用いて、光取り出し効率に優れ、かつ、生産性に優れた半導体発光装置を提供する。【解決手段】III族窒化物半導体およびII族酸化物半導体において、低抵抗化の容易なn型成長層側を光取り出し面とし、光取り出し面にパッド電極を形成することなく、透明導電材を用いてn型電極とリードフレーム等の配線用支持部の導電部とを電気的に接続する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の導電部と第2の導電部とを含む配線用支持部に、第1の電極と第2の電極とが形成された半導体発光素子を接続することによって形成され、ここに、該第1の電極は1の素子主面に形成され、該第2の電極は該第1の電極が形成された面とは異なる素子主面に形成されている半導体発光装置であって、
該半導体発光素子は、該半導体発光素子から発光された光に対して透光性を有する透明導電材により封止され、
該第1の電極は該第1の導電部と電気的に接続され、
該第2の電極は、該半導体発光素子から発光された光に対して透光性であって、該透明導電材を介して該第2の導電部と電気的に接続されていることを特徴とする該半導体発光装置。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L33/00 N
, H01L33/00 C
, H01L33/00 D
5F041AA03
, 5F041AA34
, 5F041AA43
, 5F041AA44
, 5F041CA04
, 5F041CA40
, 5F041CA41
, 5F041CA82
, 5F041CA88
, 5F041CA93
, 5F041DA12
, 5F041DA20
, 5F041DA39
, 5F041DA43
, 5F041DA56
, 5F041DB01
