特許
J-GLOBAL ID：200903034905095258

半導体装置およびその製造方法

発明者：
木村 雄大

木村 雄大 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-279089
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093942
出願日： 2000年09月14日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の上下両面に外部端子を設けても、半導体装置の設計に制約を与えたり、半導体チップ面積の増加をもたらすことのないようにして、半導体装置の高密度実装の実現と、チップ面積の使用効率の向上を図る。【解決手段】 半導体チップ2の能動素子面にはAl製の電極3が形成され、電極3はバンプ4を介して導体5aに接続されている。一部の導体5aには外部端子7aとして半田ボールが接続され、他の導体5aはチップの側面から上面(裏面)上に延びる導体5bに接続されている。導体5bの一部の領域は外部端子7bになされている。半導体チップ2と導体5aの間には絶縁体6bが充填され、半導体チップの側面と上面は絶縁体6cにより覆われ、半導体装置1の全体は外部端子形成領域を除いて絶縁体6a、6dに覆われている。
請求項（抜粋）：
半導体チップの第1の主面に半導体チップの金属電極に連なる配線を含む再配線層が形成され、前記第1の主面上の前記再配線層上に第1の外部端子が形成され、前記第1の主面の反対側の面である第2の主面上に前記再配線層に接続された第2の外部端子が形成されている半導体装置において、第2の外部端子はチップの側面に形成された側面配線を介して前記再配線層と接続され、かつ、前記側面配線の第1の主面側端部は“L”字状に曲げられその曲げられた部分が前記再配線層の前記第2の主面側の面と接触していることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/12 501 ,  H01L 23/12
FI (4件)：
H01L 23/12 501 B ,  H01L 23/12 501 P ,  H01L 23/12 501 S ,  H01L 23/12 501 T
引用特許：
審査官引用 (5件)
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