薄膜太陽電池

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：瀧野秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-263505
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125206
出願日： 1994年10月27日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】熱処理しても導電膜やCuInSe2 合金膜が剥がれず、高歩留り、低コストで製造できる薄膜太陽電池を提供する。【構成】軟質ガラス基板1の上にTiN膜11、Mo膜2を形成し、その上に分散めっき法でCu-In/Se分散めっき膜3を形成し、Seを含むガス雰囲気中で熱処理してCuInSe2 膜4に転換する。CuInSe2 膜4の上にCdS膜5、反射防止膜6、透明電極膜7を形成して薄膜太陽電池とする。TiN膜11は、熱膨張率が軟質ガラスと近く、かつガラスとMoの両方に良くなじむので、熱処理しても導電膜やCuInSe2 合金膜4が剥がれず、高歩留り、低コストで薄膜太陽電池を製造できる。TiNの代わりにTiCを用いることもでき、またMo膜2を省くこともできる。

請求項（抜粋）：

ガラス基板の上に設けられた導電膜の上に銅-インジウム-セレン合金膜を吸収層として有する薄膜太陽電池において、前記導電膜が少なくともチタンまたはチタン化合物の膜を有することを特徴とする薄膜太陽電池。

引用特許：

審査官引用 (6件)

薄膜太陽電池
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-040323 出願人：富士電機株式会社
電子素子部材およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-275761 出願人：株式会社日鉱共石
特開平4-199880

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