特許
J-GLOBAL ID:200903034952759040
フォトレジスト用高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
後藤 幸久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-186493
公開番号(公開出願番号):特開2002-201232
出願日: 2001年06月20日
公開日(公表日): 2002年07月19日
要約:
【要約】【課題】 高いドライエッチング耐性、基板密着性及びアルカリ可溶性を示すと共に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)に対して溶解性の高いフォトレジスト用高分子化合物を得る。【解決手段】 フォトレジスト用高分子化合物は、(A)下記式(I)で表されるモノマーユニットを22〜40モル%、(B)下記式(II)で表されるモノマーユニットを20〜38モル%、及び(C)下記式(IIIa)及び(IIIb)から選択された少なくとも1種のモノマーユニットを22〜58モル%含む。【化1】(式中、Rは水素原子又はメチル基を示し、R1、R2、R3は、それぞれ独立に、炭素数1〜3のアルキル基を示す)
請求項(抜粋):
(A)下記式(I)で表されるモノマーユニットを22〜40モル%、(B)下記式(II)で表されるモノマーユニットを20〜38モル%、及び(C)下記式(IIIa)及び(IIIb)から選択された少なくとも1種のモノマーユニットを22〜58モル%含むフォトレジスト用高分子化合物。【化1】(式中、Rは水素原子又はメチル基を示し、R1、R2、R3は、それぞれ独立に、炭素数1〜3のアルキル基を示す)
IPC (3件):
C08F220/28
, C08J 3/14
, G03F 7/039 601
FI (3件):
C08F220/28
, C08J 3/14
, G03F 7/039 601
Fターム (29件):
2H025AA09
, 2H025AA14
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BC86
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB41
, 2H025CB52
, 2H025CC03
, 2H025FA17
, 4F070AA32
, 4F070DA22
, 4F070DC11
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100AL08S
, 4J100BA03Q
, 4J100BC09Q
, 4J100BC09R
, 4J100BC09S
, 4J100BC53P
, 4J100CA05
, 4J100CA06
, 4J100JA38
引用特許:
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