特許
J-GLOBAL ID:200903034952759040

フォトレジスト用高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 後藤 幸久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-186493
公開番号(公開出願番号):特開2002-201232
出願日: 2001年06月20日
公開日(公表日): 2002年07月19日
要約:
【要約】【課題】 高いドライエッチング耐性、基板密着性及びアルカリ可溶性を示すと共に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)に対して溶解性の高いフォトレジスト用高分子化合物を得る。【解決手段】 フォトレジスト用高分子化合物は、(A)下記式(I)で表されるモノマーユニットを22〜40モル%、(B)下記式(II)で表されるモノマーユニットを20〜38モル%、及び(C)下記式(IIIa)及び(IIIb)から選択された少なくとも1種のモノマーユニットを22〜58モル%含む。【化1】(式中、Rは水素原子又はメチル基を示し、R1、R2、R3は、それぞれ独立に、炭素数1〜3のアルキル基を示す)
請求項(抜粋):
(A)下記式(I)で表されるモノマーユニットを22〜40モル%、(B)下記式(II)で表されるモノマーユニットを20〜38モル%、及び(C)下記式(IIIa)及び(IIIb)から選択された少なくとも1種のモノマーユニットを22〜58モル%含むフォトレジスト用高分子化合物。【化1】(式中、Rは水素原子又はメチル基を示し、R1、R2、R3は、それぞれ独立に、炭素数1〜3のアルキル基を示す)
IPC (3件):
C08F220/28 ,  C08J 3/14 ,  G03F 7/039 601
FI (3件):
C08F220/28 ,  C08J 3/14 ,  G03F 7/039 601
Fターム (29件):
2H025AA09 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BC86 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB41 ,  2H025CB52 ,  2H025CC03 ,  2H025FA17 ,  4F070AA32 ,  4F070DA22 ,  4F070DC11 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100BA03Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC09S ,  4J100BC53P ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38
引用特許:
審査官引用 (8件)
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