特許
J-GLOBAL ID：200903035033162590

斜出射電子線プローブマイクロX線分析方法およびそれに用いられるプログラム、並びに、斜出射電子線プローブマイクロX線分析装置

発明者：
高岡 宏樹

高岡 宏樹 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-198523
公開番号（公開出願番号）：特開2008-026129
出願日： 2006年07月20日
公開日（公表日）： 2008年02月07日
要約：
【課題】特性X線の取出角度と測定深さとの相関を求めることを可能とする斜出射電子線プローブマイクロX線分析方法を提供すること。【解決手段】斜出射電子線プローブマイクロX線分析方法は、試料内部から発せられる特性X線が試料表面での全反射現象により検出されない角度以下に特性X線の取出角度を設定することにより試料の表層から発せられる特性X線のみを選択的に検出する斜出射電子線プローブマイクロX線分析方法において、試料を試料内部としての下地と試料表層としての所定厚の上地で構成し、下地から発せられる特性X線の取出角度を所定角度から徐々に小さくして前記特性X線の消失角度を見出し、見出された消失角度を所定厚の上地の構成元素のみを選択的に分析できる取出角度として定義する。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
試料に電子線を照射し、試料内部から発せられる特性X線が試料表面での全反射現象により検出されない角度以下に特性X線の取出角度を設定することにより試料の表層から発せられる特性X線のみを選択的に検出する斜出射電子線プローブマイクロX線分析方法において、試料を試料内部としての下地と試料表層としての所定厚の上地で構成し、下地から発せられる特性X線の取出角度を所定角度から徐々に小さくして前記特性X線の消失角度を見出し、見出された消失角度を所定厚の上地の構成元素のみを選択的に分析できる取出角度として定義することを特徴とする斜出射電子線プローブマイクロX線分析方法。
IPC (1件)：
G01N 23/225
FI (1件)：
G01N23/225
Fターム (30件)：
2G001AA03 ,  2G001BA05 ,  2G001BA07 ,  2G001BA30 ,  2G001CA03 ,  2G001DA06 ,  2G001EA01 ,  2G001EA03 ,  2G001FA06 ,  2G001GA03 ,  2G001GA04 ,  2G001GA06 ,  2G001GA08 ,  2G001GA13 ,  2G001HA09 ,  2G001HA13 ,  2G001JA07 ,  2G001JA11 ,  2G001KA01 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001NA06 ,  2G001NA07 ,  2G001NA15 ,  2G001NA17 ,  2G001PA11 ,  2G001PA15 ,  2G001PA30 ,  2G001QA01 ,  2G001QA10
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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