特許
J-GLOBAL ID：200903035083857696
ITOスパッタリングタ-ゲット
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
今井 毅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-062008
公開番号（公開出願番号）：特開平7-243036
出願日： 1994年03月07日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：
【要約】【目的】 スパッタリング時におけるノジュ-ルや異常放電の発生等をより安定・確実に防止し、良好な成膜作業下で一層優れたスパッタリング性能が達成されるITO焼結タ-ゲットを提供する。【構成】 “酸化インジウムと酸化錫を主成分とした原料から粉末冶金法にて製造されたITOタ-ゲット”を、平均結晶粒径が4μm未満であり、かつ単位面積当りに存在する平均直径3〜8μmのボイド数が900個/mm2以下に調整されて成るか、又は表面粗さRa が0.5 μm以下に調整されて成るか、あるいはこの両者を満足し、必要に応じて更に密度D(g/cm3)とバルク抵抗値ρ(mΩcm)がa) 6.20 ≦ D ≦ 7.23 ,b) -0.0676D+0.887 ≧ ρ ≧ -0.0761D+0.666 ,なる関係式をも同時に満たして成る構成とする。
請求項（抜粋）：
酸化インジウムと酸化錫を主成分とした原料から粉末冶金法により製造されたITOスパッタリングタ-ゲットであって、平均結晶粒径が4μm未満であり、かつ単位面積当りに存在する平均直径3〜8μmのボイド数が900個/mm2以下に調整されて成ることを特徴とする、ITOスパッタリングタ-ゲット。
IPC (4件)：
C23C 14/34
, C03C 17/245
, C30B 29/22
, H01B 13/00 503
