特許
J-GLOBAL ID：200903035193632444
半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川口 眞輝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-250361
公開番号（公開出願番号）：特開2007-067119
出願日： 2005年08月30日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：
【課題】炉体を用いたバッチ式成膜装置で、多孔ノズルを用いて原料ガスを供給するALD成膜ではノズル内のガス置換が不十分となり原料が残留する結果、パーティクルの発生や膜厚の面内均一性が悪化する問題を回避する半導体製造装置を提供する。【解決手段】ノズル106の先端を閉塞させずに、配管132およびバルブ133を介して真空ポンプに接続するようにした。反応室102とは独立してノズル106内の真空排気、パージを容易にできるので原料の置換効率が向上し、原料の残留を防止することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
上下方向に離間配設された複数の半導体基板に近接するノズルを備え、前記ノズルは前記半導体基板の位置に対応する小孔を有し、前記小孔から原料ガスを噴出させ、前記半導体基板表面に薄膜を成膜する半導体製造装置において、
前記ノズルの先端は配管に接続され、前記配管を通して前記ノズル内の原料ガスを真空排気する機構を有することを特徴とする半導体製造装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
5F045AA15
, 5F045AB31
, 5F045AC00
, 5F045AC08
, 5F045AC15
, 5F045BB10
, 5F045DP19
, 5F045DQ05
, 5F045EF00
