特許
J-GLOBAL ID:200903035319013427
ストレージシステム及びその制御方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
稲葉 良幸
, 大賀 眞司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-026444
公開番号(公開出願番号):特開2008-191966
出願日: 2007年02月06日
公開日(公表日): 2008年08月21日
要約:
【課題】記憶デバイスとして不揮発性メモリを用いたときに特有の問題について、性能劣化を防止しながら有効に対応し得るストレージシステム及びその制御方法を提案する。【解決手段】ストレージシステムに、1又は複数の不揮発性メモリチップを有する複数のメモリモジュールと、各メモリモジュールに対するデータの読み書きを制御するコントローラとを設け、メモリモジュールが、自メモリモジュール内の不揮発性メモリチップに障害が発生したときに、当該不揮発性メモリに格納されているデータのコピー先とする不揮発性メモリチップを決定し、障害が発生した不揮発性メモリチップに格納されていたデータをコピー先として決定した不揮発性メモリチップにコピーするようにした。【選択図】図16
請求項(抜粋):
上位装置にデータを読み書きするための記憶領域を提供するストレージシステムにおいて、
それぞれ前記記憶領域を提供する1又は複数の不揮発性メモリチップを有する複数のメモリモジュールと、
各前記メモリモジュールに対するデータの読み書きを制御するコントローラと
を備え、
前記メモリモジュールは、
自メモリモジュール内の前記不揮発性メモリチップに障害が発生したときに、当該不揮発性メモリに格納されているデータのコピー先とする前記不揮発性メモリチップを決定し、障害が発生した前記不揮発性メモリチップに格納されていた前記データをコピー先として決定した前記不揮発性メモリチップにコピーする
ことを特徴とするストレージシステム。
IPC (2件):
FI (2件):
G06F3/06 306Z
, G06F12/16 310Q
Fターム (7件):
5B018GA06
, 5B018HA04
, 5B018KA13
, 5B018MA23
, 5B018NA06
, 5B065BA05
, 5B065EA15
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (8件)
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半導体ディスク装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-039125
出願人:富士通株式会社
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半導体メモリ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-229865
出願人:株式会社日立製作所
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半導体ファイルサブシステム
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-299389
出願人:株式会社日立製作所
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