特許
J-GLOBAL ID：200903035338474532
発光ダイオードアレイ装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-119733
公開番号（公開出願番号）：特開2000-312027
出願日： 1999年04月27日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：
【要約】【課題】 総膜厚が薄いブラッグ反射膜を用いた、発光ダイオードアレイ装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 N型GaAs基板10上に順次形成した、N型バッファ層12、ブラッグ反射膜22、N型下部クラッド層23、N型活性層24、P型クラッド層25、およびP型オーミック層26とからなる、層構造を有する。N型下部クラッド層23の露出面にN型上部電極41がコンタクトし、P型オーミック層26にP側上部電極31がコンタクトしいる。ブラッグ反射膜22は、AlAs層を酸化して得たAl酸化物層とAl0.2Ga0.8As層とを交互に5組積層した構成である。ブラッグ反射膜22の一方をAl酸化物層としたため、総膜厚を薄くすることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された複数個の微小な発光ダイオードからなる発光ダイオードアレイ装置であって、前記半導体基板上に、少なくとも、屈折率の異なる2種類の層が交互に積層されてなるブラッグ反射膜、第1導電型の下部クラッド層、当該下部クラッド層と同じ第1導電型または逆の第2導電型の活性層、および前記下部クラッド層とは逆の第2導電型の上部クラッド層とを、この順に積層して有し、前記ブラッグ反射膜を構成する2種類の前記層の一方が酸化物材料からなり、かつ、各前記発光ダイオードに電流を供給するための2つの電極が、直接またはオーミック層を介して、それぞれ、前記下部クラッド層と前記上部クラッド層とにコンタクトしている、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ装置。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, B41J 2/44
, B41J 2/45
, B41J 2/455
H01L 33/00 A
, B41J 3/21 L
2C162FA17
, 2C162FA25
, 2C162FA50
, 5F041AA03
, 5F041AA42
, 5F041CA04
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA36
, 5F041CA46
, 5F041CA72
, 5F041CA73
, 5F041CA74
, 5F041CB25
, 5F041EE23
, 5F041FF13
