フォトマスクの製造方法およびフォトマスク

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-206729
公開番号（公開出願番号）：特開2002-023340
出願日： 2000年07月07日
公開日（公表日）： 2002年01月23日
要約：

【要約】【課題】マスクにおけるマスクパターンの変更または修正時間を短縮する。【解決手段】フォトマスクPM1を構成するマスク基板1上に、集積回路パターン転写用のメタルからなる遮光パターン2aの他に、集積回路パターン転写用のレジスト膜からなる遮光パターン3aを部分的に設けた。

請求項（抜粋）：

マスク基板に集積回路パターン転写用のメタルからなる遮光パターンを形成する工程、前記マスク基板に集積回路パターン転写用のレジスト膜からなる遮光パターンを形成する工程を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。

IPC (3件)：

G03F 1/08 , G03F 1/14 , H01L 21/027

FI (6件)：

G03F 1/08 A , G03F 1/08 G , G03F 1/08 L , G03F 1/08 M , G03F 1/14 J , H01L 21/30 502 P

Fターム (13件)：

2H095BA02 , 2H095BA07 , 2H095BB01 , 2H095BB03 , 2H095BB17 , 2H095BB27 , 2H095BB30 , 2H095BC01 , 2H095BC05 , 2H095BC08 , 2H095BC16 , 2H095BC19 , 2H095BE10

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭55-022864
特開昭60-085525
ハーフトーン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスクの作製に用いる半透明部形成材料、及びハーフトーン型位相シフトマスクの作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-118121 出願人：ソニー株式会社

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