特許

J-GLOBAL ID：200903035365222065

半導体基板表面の酸化膜形成方法および半導体装置の製造方法

発明者： 小林 光
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 長谷川 文廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-249234
公開番号（公開出願番号）：特開2002-064093
出願日： 2000年08月21日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：

【要約】【課題】半導体表面に均一かつ高品質でリーク電流密度の小さい極薄な酸化膜を膜厚の制御性よく形成することのできる酸化膜の形成方法を提供する。【解決手段】シリコンなどの半導体基板の表面を洗浄した後、表面の不純物及び自然酸化膜を除去する。次に半導体基板を加熱した濃硝酸等の酸化性の薬液に一定時間浸漬することにより、基板の表面に所定の膜厚の極薄の酸化膜を形成する。その後窒素等の不活性ガス中で熱処理し、リーク電流密度が小さくなるよう酸化膜を改質する。さらに酸化膜の上には、ゲート電極などのための導電層を形成する。

請求項（抜粋）：

【請求項1 】 半導体基板を酸化性の薬液に浸漬して表面に酸化膜を形成し、その後不活性ガス中で熱処理することを特徴とする半導体基板表面の酸化膜形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/306 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 21/316 U ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/306 D ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (17件)：

5F040DA14 ,  5F040DA19 ,  5F040DB01 ,  5F040EC04 ,  5F040EK01 ,  5F040EK02 ,  5F043BB27 ,  5F043DD02 ,  5F043GG10 ,  5F058BA06 ,  5F058BA11 ,  5F058BC02 ,  5F058BF69 ,  5F058BH01 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-075919   出願人：日本電気株式会社
• 半導体基板表面の酸化膜の形成処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-228185   出願人：シャープ株式会社
• 半導体及び半導体基板表面の酸化膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-199232   出願人：松下電子工業株式会社, 小林光