特許
J-GLOBAL ID：200903035384582161
素子分離領域の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-075315
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274287
出願日： 1998年03月24日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 溝内に酸化シリコン層を埋め込んで緻密化の熱処理を行うことで、半導体基板に応力が生じ、また、熱処理工程により、半導体基板中の結晶格子に結晶欠陥が発生する。そのために欠陥を介してリーク電流が流れて素子分離機能が低下するという問題が生じる。【解決手段】 半導体基板1にパッド酸化膜2とシリコン窒化膜を順次形成し、異方性エッチングにより順次加工し、上記半導体基板にトレンチ溝を形成する。次に、トレンチ溝内表面に第1の酸化膜4を形成し、トレンチ溝内に半導体基板1表面より上方に表面が位置するように第2の酸化膜5を埋設する。次に、第2の酸化膜5を熱処理により緻密化し、第2の酸化膜5表面を平坦化した後、熱酸化を行い、第2の酸化膜5の下に再酸化膜6を形成する。次に、パッド酸化膜2及び窒化シリコン膜3を除去することにより、素子分離領域を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板に第1の絶縁膜と耐酸化用堆積膜を順次形成する工程と、上記耐酸化用堆積膜と上記第1の絶縁膜と上記半導体基板とを異方性エッチングにより順次加工し、上記半導体基板にトレンチ溝を形成する工程と、少なくとも上記トレンチ溝内面を覆うように第2の絶縁膜を形成した後、上記トレンチ溝領域の表面が上記半導体基板表面より上に位置するように第3の絶縁膜を堆積する工程と、上記第3の絶縁膜を熱処理により緻密化する工程と、上記第3の絶縁膜表面を平坦化した後、熱酸化を行い、上記第2の絶縁膜の下に再酸化膜を形成する工程と、上記耐酸化用堆積膜及び上記第1の絶縁膜を除去することにより、素子分離領域を形成する工程とを有することを特徴とする、素子分離領域の形成方法。
引用特許：
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