特許

J-GLOBAL ID：200903035386208860

エッチングした垂直金属線上のポリマー沈積、エッチングした金属線の腐食およびエッチングした金属フィーチャの湿式洗浄時における腐食を減少させる方法

発明者： マーティン グーチェ ,  ピーター ストローブル ,  シュテファン ヴェーゲ ,  アイケ リューケン ,  ゲオルク シュトヤコヴィク ,  ブルーノ スプーラー
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-258864
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323483
出願日： 1999年09月13日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】 基板上に配置した金属被覆層からエッチングされた金属線の垂直面に沈着するポリマーを減少させる方法を提供する。【解決手段】 この方法は金属被覆層上にハードマスク層を形成すること、ハードマスク層上にフォトレジストマスクを設けることを含む。この方法はさらにフォトレジストマスクを用いてハードマスク層からハードマスクを生成させることを含む。ハードマスクは後のプラズマエンハンス金属被覆エッチングで金属線を形成するための形成構造パターンをその中に有す。フォトレジストマスクの除去もまた包含される。さらに、ハードマスクおよび塩素ガスと少なくとも1種類のパッシベーション形成化学品とを含む腐食ガスを用いるプラズマエンハンス金属被覆エッチングを行うことも含まれ、フォトレジストを用いないでプラズマエンハンス金属被覆エッチングを行ってプラズマエンハンス金属被覆エッチング中に沈着するポリマーを減少させる。

請求項（抜粋）：

基板上に配置した金属被覆層からエッチングされた金属線垂直面上のポリマー沈着物を減少させる方法において、前記金属被覆層上にハードマスク層を形成し、前記ハードマスク層上にフォトレジストマスクを設け、前記ハードマスク層からハードマスクを形成するフォトレジストマスクを用いて、前記ハードマスクが後のプラズマエンハンス金属被覆エッチングで前記金属線を生成するための形状構成されたパターンを有し、前記フォトレジストマスクを除去し、かつ前記ハードマスクおよびCl2と少なくとも1種類のパッシベーション形成化学品とを含む腐食ガスを用いてプラズマエンハンス金属被覆エッチングを行って、該プラズマエンハンス金属被覆エッチングがフォトレジストを使用せずに行われてプラズマエンハンス金属被覆エッチング時の前記ポリマー沈着を減少させることを特徴とする、金属線のエッチング後の腐食を減少させる金属被覆エッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3213 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/88 D ,  H01L 21/302 J

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-042736   出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-137225   出願人：日本電気株式会社
• ドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-231268   出願人：株式会社日立製作所
• 塩化水素、塩素含有エッチャントおよび窒素を使用するアルミニウムおよびその合金のエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-020506   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド