特許
J-GLOBAL ID：200903035419162730

誘電体薄膜及びその電子部品

発明者：
鈴木 利昌

鈴木 利昌 について

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関口 象一

関口 象一 について

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藤本 正之

藤本 正之 について

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舟窪 浩

舟窪 浩 について


出願人/特許権者：
太陽誘電株式会社

太陽誘電株式会社 について


代理人 (1件)： 梶原 康稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-027791
公開番号（公開出願番号）：特開2001-220296
出願日： 2000年02月04日
公開日（公表日）： 2001年08月14日
要約：
【要約】【課題】 基板表面に対して垂直方向の自発分極成分をもつとともに、強誘電性の低下を招くことなく、電流のリーク及び耐疲労特性に優れた低温成長可能な強誘電体薄膜及びその電子部品を提供する。【解決手段】 ペロブスカイト構造をもち、かつそれら構造を擬立方晶と見なした場合の(110)面を表面とする導電性ペロブスカイト型単結晶基板などに、層状ペロブスカイト強誘電体薄膜が形成される。このようにペロブスカイト単結晶基板の表面結晶面を選択することにより、強誘電体薄膜は,基板表面垂直方向に自発分極成分をもつようになる。すなわち、層状ペロブスカイト構造単位胞100は、基板102の膜形成主面104上に、矢印F23で示すようにc軸が傾いて形成される。このため、分極方向は矢印F24方向となり、基板表面104に対して垂直方向の成分が生ずるようになる。
請求項（抜粋）：
擬ペロブスカイト層に、他の結晶構造の挿入層を周期的に積層した誘電体薄膜であって、ペロブスカイト構造をもち、かつ、その構造を立方晶SrTiO3と同じ単位胞をもつ擬立方晶と見なした場合の(110)面を膜形成面とする基板上に形成されたことを特徴とする誘電体薄膜。
IPC (5件)：
C30B 29/30 ,  C23C 14/28 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (4件)：
C30B 29/30 B ,  C23C 14/28 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651
Fターム (18件)：
4G077AA03 ,  4G077BC36 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077EF03 ,  4K029AA04 ,  4K029BA50 ,  4K029BD00 ,  4K029CA01 ,  4K029DB20 ,  5F083FR01 ,  5F083FR05 ,  5F083GA21 ,  5F083JA13 ,  5F083JA17 ,  5F083JA44 ,  5F083PR21 ,  5F083PR25
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (11件)
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