特許
J-GLOBAL ID：200903035470422916
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-133324
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347504
出願日： 1999年08月23日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：
【要約】【課題】 2つのチップを積層して搭載する半導体装置において、搭載可能なチップサイズの組み合わせの適用範囲を広くする。【解決手段】 第1と第2のLSIチップ3,6の間にリードフレームのダイパッド2を挟み込み、第1のLSIチップ3の電極4とインナーリード1とを接続しているボンディングワイヤ5の高さをダイパッド2の厚みより低くすることで、第2のLSIチップ6のサイズに関係なく組立でき、ボディ厚みが1mm以下の薄型パッケージの形成が可能となる。したがって、2つのLSIチップ3,6のサイズの制約を少なくし、2つのLSIチップ3,6のサイズの組み合わせの適用範囲を広くでき、薄型の装置を実現できる。
請求項（抜粋）：
インナーリード及びアウターリードとなるリードとダイパッドとを有するリードフレームを用い、第1の半導体チップの上部に第2の半導体チップが搭載された半導体装置であって、前記第1の半導体チップの表面を前記ダイパッドの下面に固着し、前記第1の半導体チップの表面の電極と前記インナーリードとを金属細線で接続し、前記第2の半導体チップの裏面を前記ダイパッドを介して前記第1の半導体チップの表面に向かい合わせ,かつ前記第2の半導体チップが前記金属配線の少なくとも一部と重なるように配置して前記第2の半導体チップの裏面を前記ダイパッドの上面に固着し、前記第2の半導体チップの表面の電極と前記インナーリードとを電気的に接続し、前記第1の半導体チップ及び前記第2の半導体チップを封止樹脂で覆い、前記封止樹脂の外部に前記アウターリードを露出したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
