特許
J-GLOBAL ID:200903035498398123
基板、リソグラフィ多重露光法、機械読み取り可能媒体
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (7件):
稲葉 良幸
, 大賀 眞司
, 大貫 敏史
, 浅村 皓
, 浅村 肇
, 森 徹
, 吉田 裕
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-192602
公開番号(公開出願番号):特開2007-027742
出願日: 2006年07月13日
公開日(公表日): 2007年02月01日
要約:
【課題】リソグラフィ・システムのイメージ解像度を向上することのできる方法を提供する。【解決手段】リソグラフィ・システムを使用するイメージング方法は、基板上に印刷される所望のパターンを、リソグラフィ・システムによって光学的に分解することが可能な少なくとも2つの構成サブパターンに分解すること、所望の密なライン・パターンでパターニングされる標的層の上部において、2つの犠牲ハード・マスクの積重体を基板にコーティングすることを含む。適したエッチ・ストップ層を設けるために、犠牲マスク層と標的層の材料は、各エッチング・ステップについて、2回の露光の間のエッチング及び標的層のエッチングが交互の選択性を有するように選択される。【選択図】図3
請求項(抜粋):
基板であって、
所望のパターンをリソグラフィによってパターニングするように構築され、構成された標的層と、
少なくとも部分的に前記標的層の上になるハード・マスク層の積重体であって、少なくとも部分的に前記標的層の上になる第1ハード・マスク層と少なくとも部分的に前記第1ハード・マスク層の上になる第2ハード・マスク層とを備える、ハード・マスク層の積重体とを備え、前記第1ハード・マスク層と前記第2ハード・マスク層は、相互に排他的なエッチ抵抗を有し、前記第1ハード・マスク層と前記第2ハード・マスク層の一方は酸化物を含み、前記他方のハード・マスク層は窒化物を含む基板。
IPC (4件):
H01L 21/306
, G03F 1/08
, H01L 21/027
, G03F 7/11
FI (5件):
H01L21/302 105A
, G03F1/08 A
, H01L21/30 502C
, H01L21/30 514A
, G03F7/11 501
Fターム (16件):
2H025AA02
, 2H025AB08
, 2H025AB16
, 2H095BB01
, 2H095BC24
, 5F004AA16
, 5F004DB03
, 5F004DB07
, 5F004EA06
, 5F004EA07
, 5F004EA28
, 5F046AA13
, 5F046AA20
, 5F046BA04
, 5F046BA05
, 5F046CA04
引用特許:
審査官引用 (5件)
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特開昭63-170917
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パターン形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-089338
出願人:NECエレクトロニクス株式会社
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パターン形成方法及び半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-076331
出願人:株式会社半導体先端テクノロジーズ
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