パターン形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤巻正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-089338
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296930
出願日： 2003年03月27日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】露光装置の解像度よりピッチが狭く微細なパターンを形成することができるパターン形成方法を提供する。【解決手段】層間絶縁膜2上形成された窒化シリコン膜3a上にレジストを塗布し、リソグラフィにより疎ピッチのレジストパターン4aを形成する。このレジストパターン4aをマスクにして窒化シリコン膜3aを最初の膜厚の(1/2)の厚さだけエッチングした後、レジストパターン4aを除去する。次に、再度窒化シリコン3aの上にレジストを塗布し、レジストパターン4aにより形成されたパターンのラインの間にラインが配置されるようにレジストパターン4bを形成し、レジストパターン4bをマスクにして窒化シリコン膜3aを最初の膜厚の(1/2)の厚さだけエッチングする。これにより、窒化シリコンからなり密ピッチのパターンが形成されたハードマスク3を形成し、このハードマスク3をマスクにして層間絶縁膜2をエッチングする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

被加工部材上にマスク層を形成する工程と、このマスク層をエッチングして所定のパターンが形成されたハードマスクを形成する工程と、このハードマスクをマスクとして前記被加工部材をエッチングして選択的に除去する工程と、を有し、前記ハードマスクを形成する工程においては、前記マスク層の上にレジストパターンを形成する工程と、このレジストパターンをマスクにして前記マスク層をエッチングして前記マスク層における前記レジストパターンに覆われていない領域の膜厚を減少させる工程と、前記レジストパターンを除去する工程とをこの順に複数回繰り返し、2回目以降に形成する前記レジストパターンを前記マスク層におけるそれより前に形成されたレジストパターンに覆われていない領域の一部を覆うように形成することにより、前記マスク層に前記レジストパターンよりも微細なパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (6件)：

H01L21/027 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/28 , H01L21/3065 , H01L21/3205

FI (6件)：

H01L21/30 570 , G03F7/20 521 , G03F7/40 521 , H01L21/28 D , H01L21/302 105A , H01L21/88 B

Fターム (24件)：

2H096AA25 , 2H096CA05 , 2H096HA23 , 2H096HA30 , 2H096JA04 , 2H096KA18 , 4M104AA01 , 4M104DD07 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104DD71 , 4M104HH14 , 5F004DB07 , 5F004EA05 , 5F004EA06 , 5F004EA07 , 5F004EA28 , 5F004EA32 , 5F033QQ01 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ28 , 5F033XX03 , 5F046AA13

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置の微細パターン製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-276671 出願人：現代電子産業株式会社
多重露光方法及び多重露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-324983 出願人：三菱マテリアル株式会社
レジストパタン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-175821 出願人：学校法人東京電機大学

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