特許
J-GLOBAL ID：200903036484458391

ドライシリル化プラズマエッチング方法

発明者：
リウ、リアンジュン

リウ、リアンジュン について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-573527
公開番号（公開出願番号）：特表2003-529930
出願日： 2001年03月23日
公開日（公表日）： 2003年10月07日
要約：
【要約】【課題】【解決手段】シリル化された領域(S1,S2)が形成され、シリル化可能な材料で形成された第1の層(L1)でコーテングされた上面(100S)を有する基板(100)のプラズマエッチングを含むドライシリル化方法である。プラズマ(66)は、低プラズマ密度、高ラジカル密度を有する第1の領域(66L)と、この第1の領域よりも高いプラズマ密度、低いラジカル密度を有する第2の領域(66U)とを含み、酸素をベースとするプラズマである。この方法は、前記シリル化可能な領域から酸化された領域(OR1,OR2)を形成するように、シリル化された領域を第1のプラズマ領域に露呈させる工程を含む。次の工程は、プラズマに直接露呈されたシリル化可能な材料を選択的にエッチングするように、前記第2のプラズマ領域に基板を露呈させる。
請求項（抜粋）：
1もしくは複数のシリル化された領域が形成され、シリル化可能な材料で形成された第1の層でコーテングされた上面を有する基板を、低プラズマ密度並びに高ラジカル密度を有する第1の領域と、この第1の領域よりも高いプラズマ密度並びに低いラジカル密度を有する第2の領域とを含み、酸素をベースとするプラズマを使用して、プラズマエッチングするための方法であって、この方法は、 (a)前記1もしくは複数のシリル化可能な領域から1もしくは複数の酸化された領域を形成するように、1もしくは複数のシリル化された領域を第1のプラズマ領域に露呈させる工程と、 (b)前記酸化された領域以外の領域で、第1の層を選択的にエッチングするように、前記第2のプラズマ領域に基板を露呈させる工程とを具備する方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065 ,  G03F 7/38 512 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027
FI (5件)：
G03F 7/38 512 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/302 105 A ,  H01L 21/30 568 ,  H01L 21/30 569 H
Fターム (14件)：
2H096AA25 ,  2H096FA04 ,  2H096FA05 ,  2H096GA36 ,  5F004AA09 ,  5F004BA04 ,  5F004BB18 ,  5F004BC08 ,  5F004DA26 ,  5F004DB26 ,  5F004EA40 ,  5F004FA08 ,  5F046LB01 ,  5F046LB09
引用特許：
審査官引用 (8件)
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