特許
J-GLOBAL ID：200903035544259427

半導体装置およびその製造方法

発明者：
田村 泰之

田村 泰之 について

, 
佐々木 隆興

佐々木 隆興 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体先端テクノロジーズ

株式会社半導体先端テクノロジーズ について


代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  大阿久 敦子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-175803
公開番号（公開出願番号）：特開2005-353999
出願日： 2004年06月14日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：
【課題】 ボロンの突き抜けの問題とNBTIの問題とをともに解消することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板1の上には、ゲート絶縁膜12とゲート電極8とが形成されていて、ゲート絶縁膜12は、少なくともハフニウム、酸素、フッ素および窒素を含む。そして、フッ素の濃度は、シリコン基板1との界面付近で高くてゲート電極8に近づくほど漸次減少し、窒素の濃度は、ゲート電極8との界面付近で高くてシリコン基板1に近づくほど漸次減少する。ここで、シリコン基板1との界面付近におけるフッ素の濃度は1×1019cm-3以上であることが好ましい。また、ゲート電極8との界面付近における窒素の濃度は1×1020cm-3以上であることが好ましい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極とを有する半導体装置において、 前記ゲート絶縁膜は、少なくともハフニウム、酸素、フッ素および窒素を含み、 前記フッ素の濃度は、前記シリコン基板との界面付近で高くて前記ゲート電極に近づくほど漸次減少し、前記窒素の濃度は、前記ゲート電極との界面付近で高くて前記シリコン基板に近づくほど漸次減少することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L29/78 ,  H01L21/316
FI (2件)：
H01L29/78 301G ,  H01L21/316 M
Fターム (55件)：
5F058BA01 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BD01 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD06 ,  5F058BD10 ,  5F058BE03 ,  5F058BE07 ,  5F058BF02 ,  5F058BF34 ,  5F058BF52 ,  5F058BF74 ,  5F058BH01 ,  5F058BH17 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA00 ,  5F140AA06 ,  5F140AA21 ,  5F140AA28 ,  5F140BA01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BD15 ,  5F140BD17 ,  5F140BE01 ,  5F140BE03 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE10 ,  5F140BE16 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF34 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG20 ,  5F140BG28 ,  5F140BG32 ,  5F140BG37 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BH22 ,  5F140BK01 ,  5F140BK09 ,  5F140BK21 ,  5F140BK22 ,  5F140CB04
引用特許：
審査官引用 (6件)
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