特許
J-GLOBAL ID:200903035548808093
化合物半導体光分岐素子およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
梅田 勝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-061065
公開番号(公開出願番号):特開平10-325912
出願日: 1998年03月12日
公開日(公表日): 1998年12月08日
要約:
【要約】【課題】 化合物半導体を用いた光分岐素子では、従来考えられているよりも損失が大きく、また、光の分岐比の制御を精密に行うことが困難であった。従って、本発明では、低損失で光の分岐比の制御性がよい化合物半導体からなる光分岐素子を提供することを目的とする。【解決手段】 化合物半導体基板上に設けられた化合物半導体からなる2本の光導波路を有し、前記光導波路の交差部に前記光導波路と異なる屈折率を有する化合物半導体からなる埋め込み材料で満たされた埋め込み層を有し、前記埋め込み層の幅が0.5μm以下であることを特徴とする化合物半導体光分岐素子を提供する。
請求項(抜粋):
化合物半導体基板上に化合物半導体からなる2本の光導波路を備え、前記2本の光導波路の交差部に前記光導波路と異なる屈折率を有する埋め込み層を形成し、前記埋め込み層の幅が0.5μm以下であることを特徴とする化合物半導体光分岐素子。
IPC (4件):
G02B 6/122
, G02B 6/12
, G02B 6/13
, H01S 3/18
FI (4件):
G02B 6/12 A
, H01S 3/18
, G02B 6/12 J
, G02B 6/12 M
引用特許:
審査官引用 (25件)
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特開平4-324405
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特開平4-223426
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特開平3-059502
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特開平4-324405
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特開平3-059502
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集積型光制御素子およびその作製方法、並びにそれを備えた光集積回路素子および光集積回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-209745
出願人:シャープ株式会社
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-276533
出願人:株式会社日立製作所
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薄膜形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-229313
出願人:株式会社東芝
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凹部内に膜を形成する方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-054196
出願人:株式会社東芝
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特開平1-157416
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特開平1-157416
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特開昭63-191106
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特開昭62-165909
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特開昭61-094006
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特開昭53-120452
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特開昭62-165909
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特開昭63-191106
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特開平4-223426
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特開平4-324405
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特開平3-059502
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特開平1-157416
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特開昭61-094006
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特開昭53-120452
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特開昭62-165909
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特開昭63-191106
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