薄膜トランジスタの作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-119031
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318108
出願日： 2002年04月22日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：

【要約】【課題】シリコン膜中の温度差を利用して結晶性の高いシリコン膜を形成すると技術を提供する【解決手段】基体上に非晶質シリコン膜を形成し、該非晶質シリコン膜の一部の上に金属膜を形成し、該金属膜をマスクとして該非晶質シリコン膜の上方から1回目のレーザー光照射を行って前記非晶質シリコン膜の一部以外の部分を結晶化し、前記金属膜を除去した後、前記非晶質シリコン膜の上方から2回目のレーザー光照射を行って前記非晶質シリコン膜の一部を結晶化し、該2回目のレーザー光照射により結晶化された結晶質シリコン膜をチャネル形成領域に用いることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基体上に非晶質シリコン膜を形成し、該非晶質シリコン膜の一部の上に金属膜を形成し、該金属膜をマスクとして該非晶質シリコン膜の上方から1回目のレーザー光照射を行って前記非晶質シリコン膜の一部以外の部分を結晶化し、前記金属膜を除去した後、前記非晶質シリコン膜の上方から2回目のレーザー光照射を行って前記非晶質シリコン膜の一部を結晶化し、該2回目のレーザー光照射により結晶化された結晶質シリコン膜をチャネル形成領域に用いることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (2件)：

H01L 21/20 , H01L 29/78 627 G

Fターム (54件)：

5F052AA02 , 5F052BB02 , 5F052DA02 , 5F052DA03 , 5F052EA01 , 5F052FA19 , 5F052FA25 , 5F052JA01 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110AA17 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110CC06 , 5F110CC08 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE06 , 5F110EE30 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG28 , 5F110HJ01 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL01 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL12 , 5F110HM07 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP29 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11 , 5F110QQ23

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-206547 出願人：ソニー株式会社
半導体装置作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-128346 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-322035 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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