半導体装置および表示装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-127971
公開番号（公開出願番号）：特開2009-004757
出願日： 2008年05月15日
公開日（公表日）： 2009年01月08日
要約：

【課題】消費電力の低い半導体装置および表示装置を提供することを目的する。【解決手段】単結晶半導体基板から、単結晶半導体層を分離し、それを絶縁基板に固定し、絶縁基板上でTFTを形成する。そして、そのTFTを用いて、駆動回路を形成する。そのTFTは、活性層が概ね単結晶状態にあるため、電流特性が良い。その結果、消費電力が低く、薄型で、小型な表示装置を形成することが出来る。また、コントローラとソースドライバ中のシフトレジスタを、同じ電源電圧で動作させる。これにより、消費電力を下げることが出来る。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタを有するシフトレジスタと、コントローラとを有し、前記薄膜トランジスタは、単結晶半導体基板を絶縁基板に貼り付けた後、前記単結晶半導体基板を分離することによって、前記絶縁基板に固定された単結晶半導体層を有し、電源から前記コントローラおよび前記シフトレジスタに電源電圧が供給され、前記電源電圧の大きさが3ボルト以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (12件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , G09F 9/00 , H01L 21/02 , H01L 27/12 , G09G 3/20 , G09G 3/36 , G09G 3/30 , G02F 1/133 , G02F 1/136 , H01L 51/50 , H05B 33/02

FI (17件)：

H01L29/78 627D , G09F9/00 346A , H01L29/78 612B , H01L27/12 B , G09G3/20 611A , G09G3/36 , G09G3/20 612R , G09G3/20 623H , G09G3/20 621M , G09G3/20 680G , G09G3/20 621L , G09G3/20 622E , G09G3/30 H , G02F1/133 550 , G02F1/1368 , H05B33/14 A , H05B33/02

Fターム (107件)：

2H092GA11 , 2H092GA50 , 2H092GA60 , 2H092JA24 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JB11 , 2H092JB22 , 2H092JB31 , 2H092PA01 , 2H093NC01 , 2H093NC22 , 2H093NC24 , 2H093NC34 , 2H093ND39 , 2H093ND42 , 2H093ND60 , 2H093NE01 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC14 , 3K107CC43 , 3K107DD12 , 3K107EE03 , 3K107HH05 , 5C006BC02 , 5C006BC20 , 5C006BF03 , 5C006BF31 , 5C006BF46 , 5C006FA46 , 5C006FA47 , 5C080AA05 , 5C080AA06 , 5C080AA10 , 5C080BB05 , 5C080DD26 , 5C080FF10 , 5C080FF11 , 5C080JJ02 , 5C080JJ03 , 5C080JJ06 , 5C080KK02 , 5C080KK07 , 5C080KK20 , 5C080KK23 , 5C080KK43 , 5F110AA04 , 5F110AA09 , 5F110BB02 , 5F110BB03 , 5F110BB04 , 5F110BB05 , 5F110BB09 , 5F110CC02 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD07 , 5F110DD13 , 5F110DD15 , 5F110EE28 , 5F110EE30 , 5F110EE32 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG05 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG30 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110HJ01 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL12 , 5F110HL24 , 5F110HM15 , 5F110HM17 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN62 , 5F110NN65 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP34 , 5F110QQ06 , 5F110QQ17 , 5F110QQ19 , 5G435AA18 , 5G435BB05 , 5G435BB06 , 5G435BB12 , 5G435EE32 , 5G435EE34 , 5G435HH13 , 5G435KK09

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体表示装置およびその駆動回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-366541 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (5件)

薄膜トランジスタ装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-235283 出願人：富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社
液晶画像表示装置及び半導体光学部材の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-219558 出願人：キヤノン株式会社
平面表示装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-198891 出願人：株式会社東芝

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