特許

J-GLOBAL ID：200903035580448066

強磁性トンネル接合素子およびその製造方法

発明者： 天野 実 ,  斉藤 好昭
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-212595
公開番号（公開出願番号）：特開2002-158381
出願日： 2001年07月12日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：

【要約】【課題】 熱処理を受けてもMn系合金を含む反強磁性層からのMn拡散を有効に抑制することができ、特性および耐熱性に優れた強磁性トンネル接合素子を提供する。【解決手段】 Mnを含有する反強磁性層(101)と、反強磁性層上に形成された、第1および第2の2つの強磁性層(102a、102b)の間に絶縁層またはアモルファス磁性層(105)を挟んだ構造を有する磁化固着層(102)と、磁化固着層上に形成されたトンネルバリア層(103)と、トンネルバリア層上に形成された磁化自由層(104)とを有する強磁性トンネル接合素子。

請求項（抜粋）：

Mnを含有する反強磁性層と、前記反強磁性層上に形成された、第1および第2の2つの強磁性層の間に絶縁層またはアモルファス磁性層を挟んだ構造を有する磁化固着層と、前記磁化固着層上に形成されたトンネルバリア層と、前記トンネルバリア層上に形成された磁化自由層とを具備したことを特徴とする強磁性トンネル接合素子。

IPC (7件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/187 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/12

FI (7件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/187 ,  H01L 43/12 ,  H01L 27/10 447 ,  G01R 33/06 R

Fターム (25件)：

2G017AD55 ,  2G017AD62 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA15 ,  5D034BA21 ,  5D034CA02 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049AC01 ,  5E049AC05 ,  5E049CB02 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA25 ,  5F083GA30 ,  5F083JA60 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 磁気素子とそれを用いた磁気センサおよび磁気記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-185479   出願人：株式会社東芝
• 積層薄膜機能デバイス及び磁気抵抗効果素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-078702   出願人：株式会社東芝
• トンネル磁気抵抗効果素子、及びトンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-160977   出願人：ソニー株式会社
• 磁気変換素子、薄膜磁気ヘッドおよびそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-024805   出願人：ティーディーケイ株式会社