半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-064595
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260770
出願日： 1999年03月11日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 EM信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板(30)上に形成された絶縁膜(31,39)および金属配線(37)と、前記絶縁膜と金属配線との間の面の少なくとも1つの領域に形成された介在層(38)とを具備する半導体装置である。前記介在層は、前記金属配線を構成する金属材料、SiおよびOを含有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成され、配線用溝部を有する絶縁層と、前記絶縁層の溝部に形成された配線とを具備し、前記配線は、この配線の長手方向に沿った断面において、前記半導体基板表面から60°以内の傾斜角をなす結晶粒界を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/285 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/88 M , H01L 21/285 S , H01L 21/90 B

Fターム (76件)：

4M104AA01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB30 , 4M104BB36 , 4M104BB37 , 4M104BB39 , 4M104DD04 , 4M104DD37 , 4M104DD78 , 4M104EE06 , 4M104EE17 , 4M104EE18 , 4M104FF13 , 4M104FF22 , 4M104HH01 , 4M104HH09 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH21 , 5F033HH22 , 5F033HH33 , 5F033JJ08 , 5F033JJ09 , 5F033JJ11 , 5F033JJ17 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ22 , 5F033JJ33 , 5F033JJ35 , 5F033JJ36 , 5F033KK19 , 5F033LL06 , 5F033LL09 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033MM10 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN03 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033NN16 , 5F033NN19 , 5F033PP06 , 5F033PP07 , 5F033PP15 , 5F033PP18 , 5F033PP21 , 5F033PP22 , 5F033PP33 , 5F033QQ48 , 5F033QQ69 , 5F033QQ73 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR22 , 5F033RR25 , 5F033SS04 , 5F033SS10 , 5F033SS11 , 5F033TT02 , 5F033TT04 , 5F033XX01 , 5F033XX05 , 5F033XX14

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-207318 出願人：三菱電機株式会社
微細金属配線構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-012754 出願人：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-346899 出願人：ソニー株式会社

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