特許
J-GLOBAL ID：200903035611062498

半導体装置及びその製造方法

発明者：
大矢 昌輝

大矢 昌輝 について

, 
土井 健嗣

土井 健嗣 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-301904
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145546
出願日： 1997年11月04日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 AlInP電流阻止層を備えたAlGaInP可視半導体レーザにおいて、電流阻止層における光吸収をさらに低減できる構造およびその製造方法を提供する。【解決手段】 p-AlGaInPクラッド層5及び7の平坦部とメサ側部との中間の面方位を有するようにn-AlGaAs電流阻止層9を形成し、その上にn-AlInP電流阻止層10を形成する。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板上に、第1導電型クラッド層、活性層、ストライプ状のメサ部を有した第2導電型クラッド層を含んでなるダブルヘテロ構造を有し、このダブルヘテロ構造上に前記メサ上部を除いて形成された第1の電流阻止層および第2の電流阻止層をこの順に有する半導体装置において、前記第1の電流阻止層の表面が、前記第2導電型クラッド層の平坦面の面方位とメサ側面の面方位との中間の角度の面方位を有することを特徴とする半導体装置。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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