特許
J-GLOBAL ID：200903035654075160
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-245511
公開番号（公開出願番号）：特開2006-066522
出願日： 2004年08月25日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：
【課題】優れた高周波伝送特性と高信頼性を両立した半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】支持基板11と、支持基板11の第1面11a側に設けられた多層配線層12と、支持基板11の第2面11b側に設けられた多層絶縁層13と、支持基板11と多層絶縁層13とを連通する開口部11-1、13-1に装着された半導体チップ14と、半導体チップ14を覆い開口部11-1、13-1を充填する樹脂部15と、多層配線層12の表面に設けられた電極パッド16に接続されたデカップリングキャパシタ18等から構成される。デカップリングキャパシタ18を半導体チップ14に近接して設けると共に支持基板11の多層配線層12の反対側に多層絶縁層13を設けて、熱膨張係数差による反りや歪みを抑制する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
支持体と、
前記支持体の一方の面に配設された第1の基板と、
前記支持体の他方の面に配設された第2の基板と、
前記支持体および第2の基板を貫通する開口部に露出する第1の基板上に配設された半導体チップと、を備え、
前記第1の基板は、
第1の絶縁層と配線層を含み、
前記開口部内に露出する第1の面に、前記半導体チップと接続される複数の第1の電極を有し、
前記第2の基板は、第1の絶縁層と略同一の材料からなる第2の絶縁層を含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L23/12 N
, H01L25/00 B
