特許
J-GLOBAL ID：200903035851761008

半導体回路の設計パタンデータ補正方法と、補正された設計パタンデータを用いたフォトマスク、該フォトマスクの検査方法およびフォトマスク検査用パタンデータ作製方法

発明者：
登山 伸人

登山 伸人 について

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下袴田 直樹

下袴田 直樹 について

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坂田 若彦

坂田 若彦 について


出願人/特許権者：
大日本印刷株式会社

大日本印刷株式会社 について


代理人 (1件)： 金山 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-292296
公開番号（公開出願番号）：特開2002-099073
出願日： 2000年09月26日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 最近の、マスクパタンの微細化、高密度化が進む中、半導体ウエハ上への微細パタン作製に係わる設計パタンデータの補正とフォトマスク製造に係わる設計パタンの補正の両方を関連つけた補正技術の実用レベルでを採り入れた半導体回路の設計パタンデータ補正方法を提供する。【解決手段】 以下のステップから成る設計パターンデータ補正方法。(a)?@パターンデータから作成された?Aマスクを用いて特定の半導体製造方法によりウェハ上に形成された?Bウェハ上の図形パターンを抽出し、この?B図形パターンと?@パターンデータと差異抽出(b)?@パターンデータから作成された?Aマスク上の図形パターを抽出し、この?A図形パターンと?@設計パターンデータとの差異抽出(c)(a)(b)の差異情報から?@と?Bその差異が小さくなるように?@の形状を変形して、その補正量の導出(d)(c)から?@の形状を補正する
請求項（抜粋）：
半導体回路用に設計された設計パタンデータを用いて、これに対応する図形パタンが形成されたフォトマスクから、フォトマスクの図形パタンを半導体ウエハ上に露光転写することによって半導体ウエハ上に図形パタンを形成する半導体製造における、前記設計パタンデータの補正方法であって、(a)パタンデータに対して違いの発生しない、あるいは違いの非常に小さい忠実度の高いフォトマスクを用いて、特定の半導体製造方法により、テストパタンデータ、あるいは、テストパタンデータと設計パタンデータからなる所定のパタンデータに対応する図形パタンを半導体ウエハ上に形成し、半導体ウエハ上に形成された半導体ウエハ図形パタンを測定することにより、前記所定のパタンデータと前記半導体ウエハ図形パタンの違いを抽出する、データ・ウエハ差異抽出ステップと、(b)前記所定のパタンデータを用い、特定のフォトマスク製造方法により前記所定のパタンデータに対応する図形パタンをフォトマスク上に形成し、フォトマスク上に形成されたフォトマスク図形パタンを測定することにより、前記所定のパタンデータと前記フォトマスク図形パタンの違いを抽出する、データ・マスク差異抽出ステップと、(c)データ・マスク差異抽出ステップと、データ・ウエハ差異抽出ステップとから抽出される差異情報を元に、前記所定のパタンデータと、対応する半導体ウエハ図形パタンとの差異が小さくなるように、所定パタンデータの形状を変形する補正量を導き出す、補正量導出ステップと、(d)補正量導出ステップから導き出された補正量を用いて、設計パタンデータの形状を補正し、補正された補正設計パタンデータを作成する補正適用ステップと、を備えたことを特徴とする半導体回路の設計パタンデータ補正方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/82
FI (4件)：
G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/82 D ,  H01L 21/82 T
Fターム (6件)：
2H095BB01 ,  2H095BD02 ,  5F064AA02 ,  5F064BB02 ,  5F064HH06 ,  5F064HH10
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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