特許

J-GLOBAL ID：200903035962892608

アニールウエーハの製造方法及びアニールウエーハ

発明者： 小林 武史 ,  星 亮二
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-277216
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119446
出願日： 2002年09月24日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：

【課題】アニールウエーハを製造する工程において、結晶成長工程の条件や熱処理プロセスの熱処理条件の変更を行うことなく、DNN欠陥の発生を容易に低減することができるアニールウエーハの製造方法及びDNN欠陥の低減したアニールウエーハを提供する。【解決手段】シリコンウエーハに熱処理を行うことによってアニールウエーハを製造する方法であって、該熱処理を行う前に該シリコンウエーハ表面の酸素析出物を溶解させるようにした。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

シリコンウエーハに熱処理を行うことによってアニールウエーハを製造する方法であって、該熱処理を行う前に該シリコンウエーハ表面の酸素析出物を溶解させることを特徴とするアニールウエーハの製造方法。

IPC (1件)：

H01L21/324

FI (1件)：

H01L21/324 X

引用特許：

審査官引用 (4件)

• エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-201264   出願人：住友金属工業株式会社
• 半導体基板の処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-271905   出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
• シリコンウェーハの熱処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-025468   出願人：三菱住友シリコン株式会社
• シリコンウェーハの表面近傍に存在する八面体状酸素析出物の推定方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-253632   出願人：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社