特許
J-GLOBAL ID：200903036161912379

ショットキーバリアダイオード及びその製造方法

発明者：
鹿島 直敏

鹿島 直敏 について

, 
土居 弥寿彦

土居 弥寿彦 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 小笠原 史朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-326576
公開番号（公開出願番号）：特開2007-134521
出願日： 2005年11月10日
公開日（公表日）： 2007年05月31日
要約：
【課題】動作領域の抵抗を小さく抑えることで順方向印加電圧を下げ、かつ、逆方向特性の耐圧を高くすることができるショットキーバリアダイオード及びその製造方法の提供。【解決手段】ショットキーバリアダイオードは、不純物濃度が低い低濃度第一導電型半導体基板1の第一の主面8から該基板1の内部に環状に形成され第一導電型とは反対導電型の高濃度第二導電型半導体領域として形成されたガードリング層2と、第一導電型半導体基板の第一の主面8に接触してショットキーバリアを形成しガードリング層2表面にも接触するように形成された金属層3と、第一導電型半導体基板1の動作領域となる部分16に第一の主面8とは反対側の第二の主面9からガードリング層2と接触しない範囲で形成された凹部5と、凹部5を充填し該凹部5内壁面7とオーミックコンタクトする金属充填部13とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
不純物濃度が低い低濃度第一導電型半導体基板の第一の主面から該基板の内部に環状に形成され前記第一導電型とは反対導電型の高濃度第二導電型半導体領域として形成されたガードリング層と、 前記第一導電型半導体基板の第一の主面に接触してショットキーバリアを形成し前記ガードリング層表面にも接触するように形成された金属層と、 前記第一導電型半導体基板の動作領域となる部分に前記第一の主面とは反対側の第二の主面から前記ガードリング層と接触しない範囲で形成された凹部と、 前記凹部を充填し該凹部内壁面とオーミックコンタクトする金属充填部と、 を備えたことを特徴とするショットキーバリアダイオード。
IPC (2件)：
H01L 29/872 ,  H01L 29/47
FI (2件)：
H01L29/48 F ,  H01L29/48 E
Fターム (9件)：
4M104AA01 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104CC01 ,  4M104FF02 ,  4M104FF13 ,  4M104FF27 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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