特許
J-GLOBAL ID：200903036209002329

半導体装置、半導体装置の設計方法、記録媒体および半導体装置の設計支援装置

発明者：
石倉 聡

石倉 聡 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 萩野 平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-094993
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297836
出願日： 1998年04月07日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置、半導体装置の設計方法、記録媒体および半導体装置の設計支援装置を提供することを目的とする。【解決手段】 登録手段511により、セルライブラリ505に登録すべきセルとして、バッファまたはインバータと、バッファまたはインバータの入力ピンに接続されるアンテナダメージまたはアンテナルールエラーの発生を防止するためのn+拡散層-Pウェル型保護ダイオードまたはp+拡散層-Nウェル型アンテナ保護ダイオードとを具備するリピータセルを予め登録しておき、判断手段514において、ゲート電極に導通する配線導体が、当該半導体装置において許容されるアンテナ比を越えるアンテナ比となるか否かを判断して、該配線導体が許容アンテナ比を越える場合には、挿入手段515により、該配線導体の任意の個所にリピータセルを1個以上挿入する。
請求項（抜粋）：
予め登録されたセルまたは機能ブロック若しくはモジュール(以下、セル等という)を組み合わせて配置し、与えられた論理回路仕様にしたがって配線パターンを決定することにより形成される半導体装置であって、前記セル等は、当該セル等の入力端子に接続される第1導電型拡散層と、第2電源に接続される第2導電型ウェルとを備えた第1導電型ダイオード、または、前記入力端子に接続される第2導電型拡散層と、第1電源に接続される第1導電型ウェルとを備えた第2導電型ダイオードを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/82 ,  H01L 21/3065
FI (3件)：
H01L 21/82 W ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/82 C
引用特許：
審査官引用 (4件)
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