特許
J-GLOBAL ID:200903036274742569

プラズマアッシング装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 浅井 章弘 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-228770
公開番号(公開出願番号):特開平8-069897
出願日: 1994年08月30日
公開日(公表日): 1996年03月12日
要約:
【要約】【目的】 プラズマ発生のために誘導結合型方式を採用することによりプラズマ密度を高めることができるプラズマアッシング装置を提供する。【構成】 処理容器42の載置台44に載置された被処理体Wの表面に形成されているレジスト膜106をプラズマによりアッシングするプラズマアッシング装置36A,36Bにおいて、前記プラズマの発生エネルギを供給するために前記載置台に対向する位置に高周波電源84に接続されたアンテナ部材82を設ける。そして、アンテナ部材から放射される電磁波の誘導作用により処理容器内にアッシング用の高密度なプラズマを発生させる。
請求項(抜粋):
処理容器の載置台に載置された被処理体の表面に形成されているレジスト膜をプラズマによりアッシングするプラズマアッシング装置において、前記プラズマの発生エネルギを供給するために前記載置台に対向する位置に高周波電源に接続されたアンテナ部材を設けたことを特徴とするプラズマアッシング装置。
IPC (4件):
H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065
FI (2件):
H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/302 H
引用特許:
審査官引用 (7件)
  • プラズマ処理装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-092511   出願人:東京エレクトロン株式会社
  • 特開平4-290428
  • プラズマ発生装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-023994   出願人:東京エレクトロン株式会社
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