特許

J-GLOBAL ID：200903036345611797

抵抗変化型不揮発性メモリ素子及び不揮発性半導体記憶装置

発明者： 荻本 泰史 ,  玉井 幸夫 ,  澤 彰仁
出願人/特許権者： シャープ株式会社 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
代理人 (1件)： 政木 良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-206677
公開番号（公開出願番号）：特開2008-034641
出願日： 2006年07月28日
公開日（公表日）： 2008年02月14日
要約：

【課題】 高い信頼性を有する抵抗変化型不揮発メモリ素子を提供する。【解決手段】 電気的ストレスの印加によって電気抵抗が変化することで情報を記憶可能な抵抗変化型不揮発性メモリ素子であって、基板1上に形成された電極2と、電極2上に形成された酸化物pn接合を少なくとも備えてなる。酸化物pn接合を形成する酸化物3,4がペロブスカイト型酸化物薄膜からなり、更に好ましくは、電極2がペロブスカイト型酸化物薄膜からなる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

電気的ストレスの印加によって電気抵抗が変化することで情報を記憶可能な抵抗変化型不揮発性メモリ素子であって、 基板上に形成された電極と、前記電極上に形成された酸化物pn接合を少なくとも備えてなることを特徴とする抵抗変化型不揮発性メモリ素子。

IPC (2件)：

H01L 27/10 ,  G11C 13/00

FI (2件)：

H01L27/10 451 ,  G11C13/00 A

Fターム (9件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA21 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA45 ,  5F083JA60 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第6204139号明細書
  

審査官引用 (3件)

• 抵抗変化型不揮発性メモリおよびその製造方法ならびに抵抗変化層の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-355896   出願人：ソニー株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-000523   出願人：シャープ株式会社
• 不揮発性メモリ素子及びそれを備えるメモリアレイ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-052433   出願人：三星電子株式会社