特許
J-GLOBAL ID：200903036355246272
半導体装置および半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-242172
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092658
出願日： 1995年09月20日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：
【要約】【課題】 PNPトランジスタとNPNトランジスタとを同一半導体基板上に形成する半導体装置において、低コストで電気的特性の優れた縦型PNPトランジスタ装置を製造する。【解決手段】 P型半導体基板1上にNPNトランジスタのN型コレクタ領域と同時に形成したN型埋込拡散層2を有し、さらにその拡散層2中にイオン注入によりP型埋込拡散層8を形成してP型コレクタ領域とすると同時にP型素子分離領域7をも同時に形成する。このため、従来のPNPトランジスタを形成するためにNPNトランジスタの基本製造工程にN型埋込リン拡散層形成工程,P型埋込ボロン拡散層形成工程及びN型ベースリン層形成工程の追加が必要だったのに比べ、本発明では、N型ベースリン層の形成工程の追加のみで製造可能なため、大幅なコスト削減と製造TATの削減が実現可能である。
請求項（抜粋）：
導電型が異なるトランジスタの組を同一の半導体基板に有する半導体装置であって、導電型が異なる一方のトランジスタのコレクタ領域に一部を重合させて、前記コレクタ領域とは異なる導電型のウェル領域を形成し、導電型が異なる他方のトランジスタのコレクタ領域,ベース領域及びエミッタ領域は、前記ウェル領域に形成したものであることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 21/8228
, H01L 27/082
H01L 29/72
, H01L 27/08 101 C
