特許
J-GLOBAL ID：200903036365849153
窒化物半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高村 順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-379215
公開番号（公開出願番号）：特開2006-191103
出願日： 2005年12月28日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：
【課題】発光素子の少なくとも一面に形成された光透過性を有する絶縁物質層を利用して凹凸パターンを有する絶縁性光散乱層を形成する窒化物半導体発光素子及びフリップチップ発光素子を提供する。【解決手段】窒化物半導体発光素子20、30、40、50、60、70は光透過性基板31、51、61、71上に順次に形成された第1導電型窒化物半導体層34、54、64、74、活性層35、55、65、75、及び第2導電型窒化物半導体層36、56、66、76を備える。上記窒化物半導体発光素子はその少なくとも一面に形成された、光透過率が50%以上の絶縁性物質を用いて成り、光を散乱させるための凹凸パターンが形成された絶縁性光散乱層37、57、67、77を備えている。さらに、フリップチップ発光素子は上記絶縁性光散乱層が少なくとも基板の下面に形成された窒化物半導体素子を備えている。【選択図】 図2-1
請求項（抜粋）：
光透過性基板上に順次に形成された第1導電型窒化物半導体層、活性層及び第2導電型窒化物半導体層を備えた窒化物発光素子において、
前記窒化物半導体発光素子の少なくとも一面に形成された、光透過率が50%以上の絶縁性物質を用いて成り、光を散乱させるための凹凸パターンが形成された絶縁性の光散乱層を備えたこと、
を特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5F041AA03
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CB15
, 5F041DA09
出願人引用 (1件)
審査官引用 (7件)
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