特許

J-GLOBAL ID：200903099925008321

内部および外部光学要素による光取出しを向上させた発光ダイオード

発明者： ブライアン シビュールト ,  マイケル マック ,  スティーブン ピー.デンバーズ
出願人/特許権者： クリー インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫 ,  橋本 傳一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-542397
公開番号（公開出願番号）：特表2004-511080
出願日： 2000年11月28日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

本発明は、その効率を上げるためにLEDの上あるいは内部に光取出し構造体(26)を有する新規のLEDに関する。新規の光取出し構造体(26)は、光がパッケージへと出て行くのにより有利な方向に光を反射、屈折あるいは散乱させる表面を提供する。この光取出し構造体は、光取出し要素(42、44、46、48、50、52)のアレイあるいは分散体層(112、122、134、144、152、162)を備えている。光取出し要素は、様々な形状でありうるし、従来のLEDを超えてLEDの効率を増加させるために多くの位置に配置される。分散体層は光に散乱源を提供し、また同じように多くの位置にそれを配置することができる。光取出し要素アレイをもつ新規のLEDは、それらの生産性を高くする標準的な加工技術で、標準的なLEDと同様のコストで製造される。分散体層をもつ新規のLEDは新規の方法で製造され、また生産性が高い。

請求項（抜粋）：

光取出しを向上させる構造体を有する発光ダイオード(LED)であって、 エピタキシャル成長させたp型層(14)と、エピタキシャル成長させたn型層(15)と、前記p型層(14)および前記n型層(15)の間のエピタキシャル成長させた活性層(13)とを備えた発光ダイオード構造体(12)と、 該発光ダイオード構造体(12)に隣接する第1スプレッダ層(16)と、 前記発光ダイオード構造体(12)に隣接し、前記第1スプレッダ層(16)の反対側の第2スプレッダ層(20)と、 前記発光ダイオードと一体化されて配置された光取出し構造体(26)を備え、前記光取出し構造体が、前記発光ダイオード内に捕捉された光が分散、反射および/または屈折して前記発光ダイオードから出て行くことを可能にする表面を備えたことを特徴とする発光ダイオード。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (9件)：

5F041AA03 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA65 ,  5F041CA83 ,  5F041CA84 ,  5F041CA88 ,  5F041CB36 ,  5F041FF11

引用特許：

審査官引用 (11件)

• 窒化ガリウム系化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-093117   出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-079046   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-351646   出願人：株式会社東芝
• 発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-320372   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-066879   出願人：シャープ株式会社
• LEDおよびLEDの組立方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-024950   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-143157   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子および発光ランプ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-069421   出願人：三洋電機株式会社
• 発光ダイオードの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-250676   出願人：日立電線株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-081447   出願人：三菱電線工業株式会社
• 特開昭64-030277
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 30% external quantum efficiency from surface textured, thin-film light-emitting diodes