薄膜トランジスタ及び表示装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：芝野正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-038770
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243963
出願日： 1999年02月17日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】水分あるいは不純物イオンによって平坦化膜又は層間絶縁膜の分極の発生による閾値電圧の変化抑制のための第2ゲート電極がパターンずれを起こした際の発生する欠点を抑制し、面内で均一な明るさの表示が得られるTFT及び表示装置を提供する。【解決手段】絶縁性基板1上に、Crからなる第1のゲート電極2、ゲート絶縁膜3、多結晶シリコン膜からなりソース5、チャネル7及びドレイン6を備えた能動層4を形成し、その全面に層間絶縁膜9を形成する。そして、ドレイン6に対応した位置にドレイン電極10を形成すると同時にチャネル7の上方であって層間絶縁膜9上に、コンタクトホール14を介してゲート信号配線Gと接続された第2のゲート電極11を形成する。こうして形成されたTFTのチャネルが2回以上ゲートと交差しており、隣接するチャネルの電流方向が互いに異なるように構成されている。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に、第1のゲート電極、第1の絶縁膜、隣接するチャネルで電流の流れる方向が異なるように前記第1のゲート電極と複数箇所にて交差した半導体膜、及び第2の絶縁膜を備えており、該第2の絶縁膜上であって少なくとも前記チャネル上方に前記第1のゲート電極に接続された第2のゲート電極を備え、該第2のゲート電極のチャネル長方向の幅が前記チャネルのチャネル長よりも狭いことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , G02F 1/1365 , G09F 9/30 338

FI (4件)：

H01L 29/78 618 C , G09F 9/30 338 , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 617 N

Fターム (78件)：

2H092JA26 , 2H092JA29 , 2H092JA35 , 2H092JA36 , 2H092JA38 , 2H092JA42 , 2H092JA44 , 2H092JB13 , 2H092JB23 , 2H092JB32 , 2H092JB33 , 2H092JB38 , 2H092JB51 , 2H092JB57 , 2H092JB63 , 2H092JB69 , 2H092KA04 , 2H092KA07 , 2H092KA12 , 2H092KA16 , 2H092KA18 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA14 , 2H092MA15 , 2H092MA16 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092MA20 , 2H092MA27 , 2H092MA28 , 2H092MA31 , 2H092MA35 , 2H092MA37 , 2H092MA41 , 2H092NA01 , 2H092NA25 , 2H092NA27 , 2H092PA06 , 2H092QA07 , 5C094AA42 , 5C094AA43 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA13 , 5C094EA04 , 5F110AA06 , 5F110AA08 , 5F110BB01 , 5F110BB20 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110EE04 , 5F110EE22 , 5F110EE27 , 5F110EE30 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG23 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110HJ13 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110HM18 , 5F110NN03 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-069191 出願人：富士ゼロックス株式会社
薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-327473 出願人：三洋電機株式会社
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-199644 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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