特許
J-GLOBAL ID：200903036414721842
大型フォトマスク基板のリサイクル方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-338344
公開番号（公開出願番号）：特開2008-151916
出願日： 2006年12月15日
公開日（公表日）： 2008年07月03日
要約：
【解決手段】使用済大型フォトマスク基板のパターン化遮光膜を除去して再生すべき大型フォトマスク用素ガラス基板を得る工程、大型フォトマスク用素ガラス基板をサンドブラストを用いて表面加工する工程、表面加工された大型フォトマスク用素ガラス基板を再研磨して再生大型フォトマスク用素ガラス基板を得る工程、再生大型フォトマスク用素ガラス基板に遮光膜を塗付して再生大型フォトマスク用ブランクスを得る工程、再生大型フォトマスク用ブランクスの遮光膜をマザーガラスの露光に適応させたパターンにパターン化して、再生フォトマスク基板を得る工程を含む大型フォトマスク基板のリサイクル方法。【効果】本発明のリサイクル方法から形成される再生大型フォトマスク基板により、露光精度、重ね合わせ精度及び解像度が向上し、高精細な大型パネルの露光も可能となり、露光補正の負担を軽減させ、パネルの歩留まりを向上させる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(i)使用済大型フォトマスク基板のパターン化遮光膜を除去して再生すべき大型フォトマスク用素ガラス基板を得る工程、
(ii)前記工程で得られた大型フォトマスク用素ガラス基板を加工ツールとしてサンドブラストを用いて表面加工する工程、
(iii)前記工程で得られた表面加工された大型フォトマスク用素ガラス基板を再研磨して再生大型フォトマスク用素ガラス基板を得る工程、
(iv)前記工程で得られた再生大型フォトマスク用素ガラス基板に遮光膜を塗付して再生大型フォトマスク用ブランクスを得る工程、
(v)前記工程で得られた再生大型フォトマスク用ブランクスの前記遮光膜をマザーガラスの露光に適応させたパターンにパターン化して、再生フォトマスク基板を得る工程
を含む大型フォトマスク基板のリサイクル方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F1/08 Z
, C03C19/00 A
, C03C19/00 Z
2H095BA12
, 2H095BB27
, 2H095BB28
, 2H095BB30
, 4G059AA08
, 4G059AB03
, 4G059AC03
出願人引用 (2件)
-
大型基板及びその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-015513
出願人：信越化学工業株式会社
-
大型基板の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2004-249820
出願人：信越化学工業株式会社
審査官引用 (5件)
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