特許
J-GLOBAL ID：200903036424321400
回路パタン形成用マスク装置及び回路パタン形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-047225
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246149
出願日： 1996年03月05日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：
【要約】【課題】 リソグラフィ工程における光近接効果によるライン幅のばらつきを抑制することを目的とする。【解決手段】 石英基板12の上面に回路パタン11がクロムパタン13に転写されたマスク装置は、石英基板12の裏面にクロムパタン13のうち、露光光の波長が配線ピッチの4倍以内となる相対的に密なパタン群部13aに露光光の透過量を抑制する光量抑制膜14を備えている。光量抑制膜14は、露光光の振幅透過率に対して85パーセント以上且つ97パーセント未満で、露光光の光強度透過率に対して72パーセント以上且つ94パーセント未満である透過率を有している。
請求項（抜粋）：
透明な基板上に不透明膜による半導体集積回路の回路パタンが転写されたレイアウトパタンを有しており、前記レイアウトパタンを透過する露光光の光量を抑制する光量抑制膜を備えていることを特徴とする回路パタン形成用マスク装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 502 P
, G03F 1/08 B
