特許
J-GLOBAL ID:200903036467991213
プラズマ化学気相堆積装置及びカーボンナノチューブの製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
森脇 正志
, 森脇 康博
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-090063
公開番号(公開出願番号):特開2006-265079
出願日: 2005年03月25日
公開日(公表日): 2006年10月05日
要約:
【課題】不純物濃度が小さくしかも基板に対し垂直方向に配向したカーボンナノチューブを製造することができるマイクロ波プラズマ化学気相堆積装置とカーボンナノチューブの製造方法を提供する。 【解決手段】 内部にプラズマを生成することのできる真空容器と、直流電圧又は高周波電圧が印加される制御電極と、直流電圧又は高周波電圧が印加されると共に基板を保持する基板ホルダーと、前記真空容器内部にガスを導入及び排出するためのガス導入口及びガス排出口とを備えた化学気相成長装置であって、前記真空容器の内部に生成されたプラズマが前記制御電極を介して基板ホルダーに達する位置に、制御電極及び基板ホルダーが設置されているように構成する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
内部にプラズマを生成することのできる真空容器と、直流電圧又は高周波電圧が印加される制御電極と、直流電圧又は高周波電圧が印加されると共に基板を保持する基板ホルダーと、前記真空容器内部にガスを導入及び排出するためのガス導入口及びガス排出口とを備えた化学気相成長装置であって、前記真空容器の内部に生成されたプラズマが前記制御電極を介して基板ホルダーに達する位置に、制御電極及び基板ホルダーが設置されていることを特徴とする化学気相堆積装置。
IPC (3件):
C01B 31/02
, C23C 16/511
, H01L 21/205
FI (3件):
C01B31/02 101F
, C23C16/511
, H01L21/205
Fターム (30件):
4G146AA04
, 4G146AA11
, 4G146AD23
, 4G146AD29
, 4G146AD30
, 4G146BA12
, 4G146BA48
, 4G146BC09
, 4G146DA16
, 4K030AA10
, 4K030AA17
, 4K030BA27
, 4K030BB01
, 4K030CA02
, 4K030CA17
, 4K030FA01
, 4K030FA03
, 4K030JA02
, 4K030KA15
, 4K030KA18
, 4K030KA19
, 4K030KA30
, 4K030KA46
, 5F045AA08
, 5F045AB07
, 5F045AC07
, 5F045AE23
, 5F045BB16
, 5F045DA51
, 5F045EH06
引用特許:
出願人引用 (2件)
審査官引用 (6件)
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