ダイヤモンド薄膜製造装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石島茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-337863
公開番号（公開出願番号）：特開平11-157991
出願日： 1997年11月21日
公開日（公表日）： 1999年06月15日
要約：

【要約】【課題】大面積のダイヤモンド薄膜を高速に形成できる技術を提供する。【解決手段】導波管4の側面35に設けたスロット6から真空槽20内にマイクロ波を漏洩させ、原料ガス11の高密度プラズマ3を生成させる。基板ホルダ30と導波管4との間に設けた電極25によってプラズマの位置を調節し、プラズマ3をスロット6上の誘電体窓5から離すと共に、原料ガス11を、誘電体窓5と平行に流し、誘電体窓5から遊離した物質を除去する。成膜速度が早く、高品質のダイヤモンド薄膜を得ることができる。偏光解析法により、成膜中の表面を観察できるようにしておくとよい。また、基板31から放射される赤外光を測定し、基板温度制御を行えるようにしておくとよい。

請求項（抜粋）：

真空槽とガス導入管と導波管とを有し、前記真空槽内に基板を配置し、組成式中に炭素原子を有するダイヤモンド薄膜の原料ガスを、前記ガス導入管によって前記真空槽内に導入し、前記導波管内にマイクロ波を放射し、前記原料ガスを励起させてプラズマを発生させ、前記プラズマ中の物質を前記基板表面に到達させ、前記基板表面に薄膜を形成するダイヤモンド薄膜製造装置であって、前記導波管の側面にはスロットが設けられ、前記スロットから前記真空槽内に前記マイクロ波が漏洩するように構成されたことを特徴とするダイヤモンド薄膜製造装置。

IPC (2件)：

C30B 29/04 , H01L 21/205

FI (2件)：

C30B 29/04 D , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平2-141494
薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-130689 出願人：株式会社ダイヘン
特開平3-020460

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