特許
J-GLOBAL ID：200903036536974083

水素製造装置

発明者：
秋山 友宏

秋山 友宏 について

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福里 隆一

福里 隆一 について

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上杉 浩之

上杉 浩之 について

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飯田 勝康

飯田 勝康 について

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宮本 典彦

宮本 典彦 について

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三宅 英雄

三宅 英雄 について

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山内 悟留

山内 悟留 について


出願人/特許権者：
株式会社アイテック

株式会社アイテック について

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三洋アクアテクノ株式会社

三洋アクアテクノ株式会社 について


代理人 (2件)： 河野 登夫 ,  河野 英仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-288510
公開番号（公開出願番号）：特開2007-099535
出願日： 2005年09月30日
公開日（公表日）： 2007年04月19日
要約：
【課題】シリコンを原料とする水素の製造を、後処理に手間を要する副生成物を伴わずに、高い回収率にて連続して行わせ得る水素製造装置を提供する。【解決手段】密閉可能な反応容器1又は2の内部に、水タンクT1 内の水を供給して所定の圧力にまで昇圧させると共に、ヒータ10又は20により加熱して亜臨界状態としておき、この反応容器1又は2に、スラリータンクT2 内のシリコンスラリーをスラリーポンプ31の動作により送り込み、反応容器1又は2の内部に亜臨界状態の水とシリコンとの接触反応により水素を発生させ、水素送出管4を経て高圧分離器5に導入して水蒸気を分離させ、回収管50を経て蓄圧器6に回収する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコンと水とを反応させて水素を製造する水素製造装置において、 密閉可能な反応容器と、 該反応容器に水を供給し、所定圧に昇圧させる水供給手段と、 前記反応容器内の水を加熱し、前記所定圧下にて亜臨界状態とする加熱手段と、 前記反応容器内の亜臨界状態の水中にシリコンを連続供給するシリコン供給手段と、 前記亜臨界状態の水と前記シリコンとの接触反応により発生する水素を送り出すために前記反応容器に一側を接続された送出管と、 該送出管の他側に接続され、前記水素と共に送り出される水蒸気を分離する気液分離器と、 分離された水素を回収するために前記気液分離器に接続された回収管と を備えることを特徴とする水素製造装置。
IPC (1件)：
C01B 3/08
FI (1件)：
C01B3/08 Z
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (7件)
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